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NE3509M04-A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE3509M04-A
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内容描述: L到S波段低噪声放大器N沟道HJ -FET [L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 11 页 / 1257 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE3509M04  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS(TA = +25 °C)  
PARAMETER  
Drain to Source Voltage  
Drain Current  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
3
UNIT  
VDS  
---  
2
V
ID  
---  
10  
20  
mA  
dBm  
Input Power  
Pin  
---  
---  
0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA = +25 °C)  
PARAMETER  
Gate to Source Leak Current  
Saturated Drain Current  
Gate to Source Cutoff Voltage  
Trans conductance  
SYMBOL TEST CONDITIONS MIN.  
TYP.  
MAX.  
10  
UNIT  
uA  
IGSO  
IDSS  
VGS(off)  
gm  
VGS=-3V  
---  
30  
0.5  
45  
VDS=2V, VGS=0V  
VDS=2V, ID=50µA  
VDS=2V, ID=10mA  
60  
mA  
V
-0.35  
80  
-0.5  
---  
-0.65  
---  
mS  
dB  
Noise Figure  
NF  
---  
0.4  
17.5  
0.8  
---  
VDS=2V, ID=10mA  
f
2GHz  
Associated Gain  
Ga  
14.5  
dB  
VDS=2V,  
ID=10mA(Non-RF)  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Po(1dB)  
---  
11  
---  
dBm  
f
2GHz  
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PRELIMINARY PRODUCT INFORMATION