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NE34018-TI-63-A 参数 Datasheet PDF下载

NE34018-TI-63-A图片预览
型号: NE34018-TI-63-A
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内容描述: 砷化镓HJ - FET在提单上S波段低噪声放大器(新塑料封装) [GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package)]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 10 页 / 200 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE34018  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)  
TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)  
SYMBOLS  
PARAMETERS  
UNITS  
RATINGS  
FREQ.  
(MHz)  
NFOPT  
(dB)  
GA  
ΓOPT  
(dB)  
MAG  
ANG  
Rn/50  
VDS  
VGDO  
VGSO  
IDS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Drain Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
4
-3  
VDS = 2 V, IDS = 10 mA  
900  
2000  
2500  
3000  
3500  
4000  
.56  
.63  
.68  
.70  
.76  
.82  
20.5  
16.3  
14.1  
13.6  
12.3  
11.6  
.76  
.61  
.49  
.39  
.28  
.20  
30  
41  
51  
49  
71  
80  
.45  
.28  
.18  
.16  
.12  
.10  
V
-3  
mA  
°C  
°C  
mW  
IDSS  
TCH  
TSTG  
PT  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Total Power Dissipation  
125  
-65 to +125  
150  
Note:  
VDS = 2 V, IDS = 30 mA  
1. Operation in excess of any one of these parameters may result  
in permanent damage.  
2000  
2500  
3000  
.60  
.70  
.76  
17.0  
15.3  
14.2  
.56  
.43  
.32  
39  
46  
50  
.23  
.15  
.26  
VDS = 3 V, IDS = 20 mA  
900  
2000  
2500  
3000  
3500  
4000  
4500  
.56  
.62  
.66  
.70  
.80  
.84  
.90  
20.2  
16.8  
14.9  
14.0  
13.2  
12.8  
11.0  
.74  
.62  
.56  
.45  
.36  
.29  
.20  
26  
42  
50  
65  
76  
85  
98  
1.54  
.43  
.31  
.24  
.14  
.10  
.08  
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)  
TOTAL POWER DISSIPATION  
vs. AMBIENT TEMPERATURE  
200  
FREE AIR  
150  
100  
50  
R
TH = 833˚C/W  
20˚C  
Ambient Temperature, TA (˚C)  
125˚C  
0
200  
100  
150  
50