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    BSZ065N06LS5

     英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
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    GCJ188R72A392KA01#

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    RB168MM200

     RB168MM200是一款超低IR的肖特基势垒二极管。非常适用于常规整流应用。
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     MOSFET – Power, Single, N-Channel
    暂无信息
    0 ONSEMI

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     R6504ENX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
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     可降低开关损耗，可高速开关。 SiC支持页面评估板, 文件 应用实例介绍罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件？电子小知识#banner-area a:link {text-decoration
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