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BS616LV1011EIG55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1011EIG55图片预览
型号: BS616LV1011EIG55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 262 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI  
BS616LV1011  
„ SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)  
READ CYCLE1 (1,2,4)  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
t
OH  
t
OH  
D OUT  
READ CYCLE2 (1,3,4)  
CE  
t
ACS  
t
BA  
LB,UB  
(5)  
CHZ  
t
t
BE  
t
BDO  
(5)  
CLZ  
t
D OUT  
READ CYCLE3 (1,4)  
t
RC  
ADDRESS  
OE  
t
AA  
t
OH  
t
OE  
t
OLZ  
CE  
(5)  
(5) t ACS  
t
t
OHZ  
(1,5)  
CHZ  
t
CLZ  
t
BA  
LB,UB  
D OUT  
t
BE  
t
BDO  
NOTES:  
1. WE is high for read Cycle.  
2. Device is continuously selected when CE = VIL  
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.  
4. OE = VIL  
5. The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
.
.
Revision 1.0  
Apr. 2004  
R0201-BS616LV1011  
5