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BS616LV1015AIG55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1015AIG55图片预览
型号: BS616LV1015AIG55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 255 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI  
BS616LV1015  
„ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 0oC to + 70oC, Vcc = 5.0V )  
WRITE CYCLE  
JEDEC  
PARAMETER  
NAME  
CYCLE TIME : 55ns  
MIN. TYP. MAX.  
PARAMETER  
NAME  
DESCRIPTION  
Write Cycle Time  
UNIT  
55  
55  
0
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tAVAX  
tE1LWH  
tAVWL  
tAVWH  
tWLWH  
tWHAX  
tBW  
tWC  
tCW  
tAS  
Chip Select to End of Write  
Address Setup Time  
--  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
55  
35  
0
--  
tAW  
tWP  
tWR  
tBW  
tWHZ  
tDW  
tDH  
--  
Write recovery Time  
(CE,WE)  
(LB,UB)  
--  
Date Byte Control to End of Write  
Write to Output in High Z  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Disable to Output in High Z  
55  
--  
--  
25  
--  
tWLQZ  
tDVWH  
tWHDX  
tGHQZ  
25  
0
--  
--  
25  
tOHZ  
tWHOX  
tOW  
End of Write to Output Active  
5
--  
--  
ns  
„ SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)  
WRITE CYCLE1 (1)  
t
WC  
ADDRESS  
OE  
(3)  
WR  
t
(10)  
CW  
t
(5)  
CE  
t
BW  
LB,UB  
t
AW  
(3)  
t
WP  
(2)  
t
AS  
WE  
(4)  
t
OHZ  
D OUT  
t
DH  
t
DW  
D IN  
Revision 1.1  
Jan. 2004  
R0201-BS616LV1015  
6