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BS616LV2019DIP55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2019DIP55图片预览
型号: BS616LV2019DIP55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 283 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI  
BS616LV2019  
„ SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)  
READ CYCLE1 (1,2,4)  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
t
OH  
t
OH  
D OUT  
READ CYCLE2 (1,3,4)  
CE2  
(6)  
t
ACS2  
t
ACS1  
CE  
(5,6)  
(5,6)  
CLZ  
t
CHZ  
t
D OUT  
READ CYCLE3 (1,4)  
ADDRESS  
t
RC  
t
t
AA  
OE  
t
OH  
t
OE  
CE2  
CE  
(6)  
ACS2  
t
OLZ  
(5)  
t
ACS1  
t
OHZ  
(1,5,6)  
CHZ  
(5,6)  
CLZ  
t
t
LB,UB  
t
BE  
t
BDO  
t
BA  
D OUT  
NOTES:  
1. WE is high in read Cycle.  
2. Device is continuously selected when CE = VIL and CE2 = VIH.  
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.  
4. OE = VIL  
.
5. The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
6. 48B BGA ignore this parameters related to CE2 .  
Revision 1.2  
May 2004  
R0201-BS616LV2019  
5