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    BS616LV2013EI 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV2013EI图片预览
    型号： BS616LV2013EI
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    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 242 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV2013EI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2013EI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2013EI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2013EI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2013EI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2013EI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616LV2013EI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BS616LV2013EI的Datasheet PDF文件第11页  
    BS616LV2013  
    BSI  
    „ ORDERING INFORMATION  
    BS616LV2013 X X -- Y Y  
    SPEED  
    70: 70ns  
    10: 100ns  
    GRADE  
    o
    o
    C: +0 C ~ +70 C  
    o
    o
    I: -40 C ~ +85 C  
    PACKAGE  
    T: TSOP 1 - 48 PIN  
    E: TSOP 2 - 44 PIN  
    A: BGA - 48 PIN(6x8mm)  
    D: DICE  
    „ PACKAGE DIMENSIONS  
    TSOP2-44  
    Revision 2.5  
    April 2002  
    R0201-BS616LV2013  
    8

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