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    BS616LV1010TI55 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV1010TI55图片预览
    型号： BS616LV1010TI55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 164 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV1010TI55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV1010TI55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV1010TI55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV1010TI55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV1010TI55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV1010TI55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV1010TI55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616LV1010TI55的Datasheet PDF文件第10页  
    BS616LV1611  
    READ CYCLE 2 (1,3,4)  
    CE1  
    tACS1  
    CE2  
    DOUT  
    tACS2  
    (5)  
    tCHZ  
    (5)  
    tCLZ  
    READ CYCLE 3 (1, 4)  
    ADDRESS  
    tRC  
    tAA  
    OE  
    tOH  
    tOE  
    tOLZ  
    CE1  
    (5)  
    tACS1  
    tO(H1Z,5)  
    (5)  
    tCLZ1  
    tCHZ  
    CE2  
    tACS2  
    (5)  
    (2,5)  
    tCLZ2  
    tCHZ2  
    tBA  
    tBE  
    LB, UB  
    DOUT  
    tBDO  
    NOTES:  
    1. WE is high in read Cycle.  
    2. Device is continuously selected when CE1 = VIL and CE2= VIH.  
    3. Address valid prior to or coincident with CE1 transition low and/or CE2 transition high.  
    4. OE = VIL.  
    5. Transition is measured ± 500mV from steady state with CL = 5pF.  
    The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
    Revision 2.3  
    R0201-BS616LV1611  
    6
    May.  
    2006  

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