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BS616LV1010FI70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1010FI70图片预览
型号: BS616LV1010FI70
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 164 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616LV1611  
n AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = -40OC to +85OC)  
READ CYCLE  
CYCLE TIME : 55ns CYCLE TIME : 70ns  
(VCC=3.0~5.5V) (VCC=2.7~5.5V)  
JEDEC  
PARAMETER  
NAME  
PARANETER  
DESCRIPTION  
UNITS  
NAME  
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.  
tAVAX  
tAVQX  
tELQV1  
tELQV2  
tBLQV  
tGLQV  
tELQX1  
tELQX2  
tBLQX  
tGLQX  
tEHQZ1  
tEHQZ2  
tBHQZ  
tGHQZ  
tAVQX  
tRC  
tAA  
Read Cycle Time  
55  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
55  
55  
55  
55  
30  
--  
70  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
70  
70  
70  
70  
35  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
Chip Select Access Time  
Chip Select Access Time  
Data Byte Control Access Time  
(CE1)  
(CE2)  
tACS1  
tACS2  
tBA  
--  
--  
--  
--  
(LB, UB)  
--  
--  
tOE  
Output Enable to Output Valid  
Chip Select to Output Low Z  
Chip Select to Output Low Z  
--  
--  
(CE1)  
(CE2)  
tCLZ1  
tCLZ2  
tBE  
10  
10  
10  
5
10  
10  
10  
5
--  
--  
Data Byte Control to Output Low Z (LB, UB)  
Output Enable to Output Low Z  
--  
--  
tOLZ  
tCHZ1  
tCHZ2  
tBDO  
tOHZ  
tOH  
--  
--  
Chip Select to Output High Z  
Chip Select to Output High Z  
(CE1)  
(CE2)  
--  
30  
30  
30  
25  
--  
--  
35  
35  
35  
30  
--  
--  
--  
Data Byte Control to Output High Z (LB, UB)  
Output Enable to Output High Z  
--  
--  
--  
--  
Data Hold from Address Change  
10  
10  
n SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)  
READ CYCLE 1 (1,2,4)  
tRC  
ADDRESS  
tAA  
tOH  
tOH  
DOUT  
Revision 2.3  
May. 2006  
R0201-BS616LV1611  
5