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BH62UV4000EIG55 参数 Datasheet PDF下载

BH62UV4000EIG55图片预览
型号: BH62UV4000EIG55
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 397 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH62UV4000  
n AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = -40OC to +85OC)  
WRITE CYCLE  
JEDEC  
PARAMETER  
NAME  
CYCLE TIME : 55ns  
PARANETER  
DESCRIPTION  
UNITS  
NAME  
MIN.  
55  
0
TYP.  
--  
MAX.  
--  
tAVAX  
tAVWL  
tAVWH  
tELWH  
tWLWH  
tWHAX  
tWLQZ  
tDVWH  
tWHDX  
tGHQZ  
tWHQX  
tWC  
tAS  
Write Cycle Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Set up Time  
--  
--  
tAW  
tCW  
tWP  
tWR  
tWHZ  
tDW  
tDH  
Address Valid to End of Write  
Chip Select to End of Write  
45  
45  
35  
0
--  
--  
--  
--  
Write Pulse Width  
--  
--  
Write Recovery Time  
(CE, WE)  
--  
--  
Write to Output High Z  
--  
--  
20  
--  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Disable to Output in High Z  
End of Write to Output Active  
25  
0
--  
--  
--  
tOHZ  
tOW  
--  
--  
25  
--  
5
--  
n SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)  
WRITE CYCLE 1 (1)  
tWC  
ADDRESS  
OE  
(3)  
tWR  
(11)  
tCW  
(5)  
CE  
tAW  
(2)  
tWP  
WE  
tAS  
(4,10)  
tOHZ  
DOUT  
tDH  
tDW  
DIN  
Revision 1.2  
Aug. 2006  
R0201-BH62UV4000  
6