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    BH62UV4000DI55 参数 Datasheet PDF下载

    BH62UV4000DI55图片预览
    型号： BH62UV4000DI55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 397 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH62UV4000DI55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV4000DI55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV4000DI55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH62UV4000DI55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV4000DI55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV4000DI55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV4000DI55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH62UV4000DI55的Datasheet PDF文件第9页  
    BH62UV4000  
    READ CYCLE 2 (1,3,4)  
    CE  
    tACS  
    (5)  
    tCHZ  
    (5)  
    tCLZ  
    DOUT  
    READ CYCLE 3 (1, 4)  
    tRC  
    ADDRESS  
    OE  
    tAA  
    tOH  
    tOE  
    tOLZ  
    tACS  
    CE  
    (5)  
    tOHZ  
    (5)  
    (1,5)  
    tCLZ  
    tCHZ  
    DOUT  
    NOTES:  
    1. WE is high in read Cycle.  
    2. Device is continuously selected when CE = VIL  
    3. Address valid prior to or coincident with CE transition low and/or CE2 transition high.  
    4. OE = VIL.  
    5. Transition is measured ± 500mV from steady state with CL = 5pF.  
    The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
    Revision 1.2  
    R0201-BH62UV4000  
    5
    Aug.  
    2006  

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