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BH616UV8011DIG55 参数 Datasheet PDF下载

BH616UV8011DIG55图片预览
型号: BH616UV8011DIG55
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内容描述: [Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, GREEN, DIE PACKAGE]
分类和应用: 静态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 11 页 / 233 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV8011  
READ CYCLE 2 (1,3,4)  
CE1  
tACS1  
CE2  
DOUT  
(6)  
tACS2  
(5, 6)  
tCHZ  
(5,6)  
tCLZ  
READ CYCLE 3 (1, 4)  
ADDRESS  
tRC  
tAA  
OE  
tOH  
tOE  
tOLZ  
CE1  
(5)  
(5)tACS1  
tOHZ  
(1,5)  
tCLZ1  
tCHZ  
CE2  
(5)tACS2  
(2,5)  
tCLZ2  
tCHZ2  
t
BA  
tBE  
LB, UB  
DOUT  
tBDO  
NOTES:  
1. WE is high in read Cycle.  
2. Device is continuously selected when CE1 = VIL and CE2= VIH.  
3. Address valid prior to or coincident with CE1 transition low and/or CE2 transition high.  
4. OE = VIL.  
5. Transition is measured ± 500mV from steady state with CL = 5pF.  
The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
Revision  
Oct.  
1.2  
R0201-BH616UV8011  
6
2008