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BH616UV1611TIP70 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BH616UV1611TIP70
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M X 16位/ 2M ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit / 2M x 8-bit]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 149 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV1611  
n SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)  
READ CYCLE 1 (1,2,4)  
tRC  
ADDRESS  
tAA  
tOH  
tOH  
DOUT  
READ CYCLE 2 (1,3,4)  
CE1  
tACS1  
CE2  
DOUT  
(6)  
tACS2  
(5, 6)  
tCHZ  
(5,6)  
tCLZ  
READ CYCLE 3 (1, 4)  
ADDRESS  
tRC  
tAA  
OE  
tOH  
tOE  
tOLZ  
CE1  
(5)  
tACS1  
tO(H1Z,5)  
(5)  
tCLZ1  
tCHZ  
CE2  
tACS2  
(5)  
(2,5)  
tCLZ2  
tCHZ2  
tBA  
tBE  
LB, UB  
DOUT  
tBDO  
NOTES:  
1. WE is high in read Cycle.  
2. Device is continuously selected when CE1 = VIL and CE2= VIH.  
3. Address valid prior to or coincident with CE1 transition low and/or CE2 transition high.  
4. OE = VIL.  
5. Transition is measured ± 500mV from steady state with CL = 5pF.  
The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
Revision 1.3  
R0201-BH616UV1611  
7
Otc.  
2006