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     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
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    BD18327EFV-M

     BD18327EFV-M是一款适用于两轮机动车转向指示灯的50V耐压 1.5A 单通道LED驱动器。该产品采用内置CR定时器来控制LED闪烁，内置LED开路检测、短路保护、过电压保护等功能，因此具有高可靠性。当检测到LED开路时，其输出闪烁频率会加倍。在高输入电压条件下，为了控制IC的发热量并保护LED负载，IC的输出PWM占空比会降低。
    驱动驱动器
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     Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mΩ, TO-247
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