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    ISC030N12NM6

     This is a normal level 120 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 3.04 mOhm on-resistance.  ISC030N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
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    GQM1875G2ER30WB12#

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     CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。
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