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    IPF016N10NF2S

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    10-PG07ORA160RF-LJ53I88T

     Low diode recovery losses;Low reverse recovery time and recovery charge;Designed for high switching frequency
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    FQP20N06L

     功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，21 A，55 mΩ，TO-220
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