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型号: 2SC1946A
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 30 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
2SC1946A
NPN硅射频功率晶体管
描述:
2SC1946A
是专为
12.5 V 175 MHz的大信号电
放大器应用。
封装形式0.380" 4L FLG
功能包括:
高共发射功率增益
输出功率= 30瓦
B
.112 x 45°
A
Ø.125 NOM 。
,完全R
J
.125
最大额定值
F
C
D
E
H I
I
C
V
CE
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
8.0 A
16 V
36 V
100瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
1.75 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
G
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
ob
G
PE
η
ψ
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CE
= 15 V
T
C
= 25 °C
测试条件
最小典型最大
36
16
4.0
5.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
DB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 15 V
V
CC
= 12.5 V
V
CC
= 15.5 V
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 30 W
F = 175 MHz的
40
75
75
150
100
10
60
11
70
在输出功率不降低
P
IN
= 2.0分贝高速
负载VSWR = 30 : 1所有相位角
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
版本B
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