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AS4C1M16F5-45JC 参数 Datasheet PDF下载

AS4C1M16F5-45JC图片预览
型号: AS4C1M16F5-45JC
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内容描述: [Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 22 页 / 486 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4C1M16F5  
®
Fast page mode cycle  
-45  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
35  
Unit Notes  
ns 13  
tCPA  
Access time from CAS precharge  
28  
28  
tRASP RAS pulse width  
45  
25  
10  
75  
54  
100K  
50  
30  
10  
80  
54  
100K  
60  
35  
10  
85  
60  
100K  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tPC  
tCP  
Read-write cycle time  
CAS precharge time (fast page)  
Fast page mode RMW cycle  
tPCM  
tCRW Page mode CAS pulse width (RMW)  
Output enable  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tCLZ  
Parameter  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit Notes  
CAS to output in Low Z  
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
0
8
0
8
0
10  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
tROH  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
13  
13  
15  
OE to data delay  
13  
0
13  
0
15  
0
Output buffer turnoff delay from OE  
OE command hold time  
OE to output in Low Z  
Output buffer turn-off time  
13  
13  
15  
8
tOEH  
tOLZ  
10  
0
10  
0
10  
0
tOFF  
0
13  
0
13  
0
15  
ns 8, 10  
3/22/02; v.0.9.2  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 22