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     N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，49A，2.5mΩ
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    GQM1555C2DR60WB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GRM0115C1E1R5CE11#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FQI7N80TU

     800V N沟道QFET®
    开关脉冲晶体管
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    FF6MR12W2M1_B70

     AlN
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    1 INFINEON

    SCT3030ALHR

     沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
    栅栅极调节器
    1 ROHM

    GRM0222C1H5R9DA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GRM1555C1H1R0BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    FDD16AN08A0-F085

     N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，75V，50A，13mΩ
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    0 ONSEMI

    GCM1555C1H181GA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
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