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SD200-11-21-241图片预览
型号: SD200-11-21-241
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内容描述: 红色增强硅光电二极管 [Red Enhanced Silicon Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 98 K
品牌: ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
   
红色增强硅光电二极管
SD 200-11-21-241
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
.208 [5.28]
.193 [4.90]
.100 [2.54]
Ø.300 [7.62]
脚圈
Ø.435 [11.05]
Ø.425 [10.80]
Ø.490 [12.45]
Ø.480 [12.19]
95°
VIEWING
1
Ø.555 [14.10]
Ø.545 [13.84]
2
3X Ø.018 [0.46]
3
0.016 [ 0.41 ] MAX
GLASS上述盖子顶部边缘
3X 1.50 [38.1]
1阳极
2外壳接地
Ø.200 [5.08]
活动区域
3阴极
概要
TO- 8封装
芯片尺寸
英寸[毫米]
芯片尺寸
英寸[毫米]
.222 [5.64]
TO- 8封装
特点
低噪音
红色增强
高分流电阻
高响应
描述
SD 200-11-21-241
是一个通用的硅
PIN光电二极管,红色增强,包装在含铅
密封TO- 8金属封装。
应用
•仪表
=工业
•医疗
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
最大
75
+150
+125
+240
单位
响应度( A / W)
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
光谱响应
V
°C
°C
°C
1000
1050
1100
波长(nm )
光电特性评级
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 5V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0V,
f
= 1兆赫
V
R
= 10V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
633纳米,V
R
= 0 V
l=
900nm处,V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 5V @
l=950nm
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
= 10 V
70
345
71
350
0.32
0.50
1100
0.36
0.55
50
8.6X10
-14
190
13
典型值
6.5
最大
26.0
单位
nA
MW
pF
nm
/ W
V
W/
Hz
nS
**的10 %至90%的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
高级Photonix公司1240马路Acaso ,卡马里奥CA 93012 •电话( 805 ) 987-0146 •传真:( 805 ) 484-9935 •
WWW.ADVANCEDPHOTONIX.COM
1150
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
*从案例最多3秒1/16英寸。