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PDI-E813图片预览
型号: PDI-E813
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内容描述: GaAlAs的高功率红外LED发射器 [GaAlAs High power IR LED Emitters]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 107 K
品牌: ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
   
GaAlAs的高功率红外LED发射器
PDI-E813
包装尺寸英寸[毫米]
.045 [1.1]
.030 [0.8]
C
L
45°
Ø.188 [4.8]
C
L Ø.180 [4.6]
.047 [1.2]
.035 [0.9]
.257 [6.5]
.223 [5.7]
窗口帽
(焊接)
0.015 [ 0.38 ] MAX
标题
Ø.019 [ 0.5 ] TYP
C
L
阴极.100 [ 2.54 ]
C
L
阳极& CASE
Ø.215 [5.5]
Ø.207 [5.3]
880 nm的LED芯片
.019 [0.48]
0.028 [ 0.7 ] MAX
2X 1.000 [25.4]
.214 [5.4]
.192 [4.9]
阴极
TO- 46可以包
芯片尺寸英寸[毫米]
特点
•高输出功率
•高可靠性
•中发射角
描述
PDI-E813
是一款高功率砷化镓铝红外
发射器,封装在一个密闭的TO- 46金属头
用穹顶窗玻璃。
应用
•光电开关
•红外源
•光学阅读器
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号参数
P
d
I
f
I
p
V
r
T
英镑
T
O
T
S
功耗
连续正向电流
最大正向电流
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-55
最大
360
180
3.0
3
+125
+125
+240
单位
mW
mA
A
V
°C
°C
°C
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
P
o
V
f
Ir
l
p
特征
输出功率
正向电压
反向电流
峰值波长
光谱半宽
动态电阻
上升时间
下降时间
测试条件
I
f
= 100毫安
I
f
= 100毫安
VR = -3V
I
f
= 50毫安
I
f
= 50毫安
I
f
= 100毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
7.0
典型值
15
1.5
880
80
1.2
0.6
0.5
最大
1.9
10
895
单位
mW
V
uA
nm
nm
uS
uS
865
Δ
l
R
d
t
r
t
f
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
高级Photonix公司1240马路Acaso ,卡马里奥CA 93012 •电话( 805 ) 987-0146 •传真:( 805 ) 484-9935 •
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