蓝色增强光伏硅光电二极管
PDB-V110
包
尺寸英寸[毫米]
包
尺寸英寸[毫米]
阳极指数
.084 [2.13]
.076 [1.93]
±.005 [0.13]
.053 [1.35]
2X Ø.017 [0.43]
阳极
.657 [16.69]
.643 [16.33]
120°
VIEWING
角
阴极
.484 [12.29]
芯片尺寸英寸[毫米]
芯片尺寸英寸[毫米]
.408 [10.36]
.596 [15.14]
.584 [14.83]
2X .50 [12.7]
0.005 [ 0.13 ] MAX
EPOXY以上套餐
.402 [10.21]
0.371 [ 9.42 ]活动区域
陶瓷封装
陶瓷封装
0.391 [ 9.93 ]活动区域
特点
•
•
•
•
低噪音
蓝色增强
高分流电阻
高响应
描述
该
PDB-V110
是蓝色增强硅PIN
光电二极管在光电模式下，封装在一个
陶瓷封装。
应用
•仪表
=工业
•医疗
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-20
-20
75
+80
+60
+240
V
°C
°C
°C
响应度（ A / W）
光谱响应
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
波长（nm ）
1150
符号
参数
民
最大
单位
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
SC
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
短路电流
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
H = 100 FC， 2850 ķ
V
R
= 10 mV的
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
450 nm的V ，V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 0V @
L =峰值
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
= 10 V
民
0.9
30
350
0.15
20
典型值
1.2
200
50
10000
0.17
30
2X10
-14
190
13
最大
333
12000
1100
单位
mA
pA
MW
pF
nm
/ W
V
W/
√
Hz
nS
**的10 ％至90％的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改，恕不另行通知。
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