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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    NCV5705BDR2G

     IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
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     VS58VLNVWM是一款用于浪涌保护、电压控制和电压限制的TVS二极管。该产品用更小型的PMDE封装实现了与ROHM以往产品同等的电气特性。PMDE是可靠性高、散热性能优异的封装形式。
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    IPL60R285P7

     600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
    栅开关脉冲晶体管栅极
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