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RRR030P03HZG

RRR030P03HZG是低导通电阻MOSFET,适合开关应用。
开关
1 ROHM

NTC160N120SC1

Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 160 mΩ, Bare Die
暂无信息
1 ONSEMI

PUMD16

50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 47 kΩProduction
PC开关光电二极管晶体管
0 NEXPERIA

GRM21BB11E563KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1E6R0WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

NTHL022N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
暂无信息
0 ONSEMI

GQM1555C2D7R6BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

TLE9842QX

TLE9842QX can be used for the most cost-effective solution for motor control using relays
暂无信息
1 INFINEON

GRM0335C1E7R9CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

BSZ065N06LS5

英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低,降低开关损耗,而不影响导通损耗。改进品质因数,支持在高开关频率下运行。此外,逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th)),使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
开关无线驱动控制器电信微控制器栅极
0 INFINEON

BSC061N08NS5

OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies. In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapter. Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.
暂无信息
0 INFINEON

GRM216R71E152JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0115C1C5R5DE01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM21B5C2E392JX01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

GQM1555C2D2R2CB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA